produktegenskaber
TYPE
BESKRIVE
kategori
Diskrete halvlederprodukter
Transistor – FET, MOSFET – Array
fabrikant
Infineon teknologier
serie
HEXFET®
Pakke
Tape and Reel (TR)
Forskydningsbånd (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Produktstatus
på lager
FET type
2 N-kanal (dobbelt)
FET funktion
logisk niveau gate
Drain-Source Voltage (Vdss)
60V
Strøm ved 25°C – Kontinuerlig dræning (Id)
8A
On-resistance (max) ved forskellig Id, Vgs
17,8 milliohm @ 8A, 10V
Vgs(th) (maksimum) ved forskellige Ids
4V @ 50µA
Gate charge (Qg) ved forskellige Vgs (max)
36nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) ved forskellige Vds (max)
1330pF ved 30V
Effekt-max
2W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
installationstype
Overflademonteringstype
Pakke/indkapsling
8-SOIC (0,154″, 3,90 mm bred)
Leverandørens enhedsemballage
8-SO
Grundproduktnummer
IRF7351
Medier og downloads
RESSOURCETYPE
LINK
specifikationer
IRF7351PBF
Andre relaterede dokumenter
IR varenummereringssystem
Produkttræningsmoduler
Højspændings integrerede kredsløb (HVIC Gate-drivere)
Udvalgte produkter
Databehandlingssystemer
HTML specifikationer
IRF7351PBF
EDA/CAD model
IRF7351TRPBF af Ultra Librarian
Simuleringsmodel
IRF7351 Spice Model
Miljø- og eksportklassificering
EGENSKABER
BESKRIVE
RoHS status
I overensstemmelse med ROHS3-specifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (ubegrænset)
REACH status
Ikke-REACH produkter
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
