produktegenskaber
TYPE
BESKRIVE
kategori
Diskrete halvlederprodukter
Transistor – FET, MOSFET – Enkelt
fabrikant
Infineon teknologier
serie
CoolGaN™
Pakke
Tape and Reel (TR)
Forskydningsbånd (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Produktstatus
afbrudt
FET type
N kanal
teknologi
GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source Voltage (Vdss)
600V
Strøm ved 25°C – Kontinuerlig dræning (Id)
31A (Tc)
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
-
On-resistance (max) ved forskellig Id, Vgs
-
Vgs(th) (maksimum) ved forskellige Ids
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10V
Indgangskapacitans (Ciss) ved forskellige Vds (max)
380pF ved 400V
FET funktion
-
Effekttab (maks.)
125 W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
installationstype
Overflademonteringstype
Leverandørens enhedsemballage
PG-DSO-20-87
Pakke/indkapsling
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm bred)
Grundproduktnummer
IGOT60
Medier og downloads
RESSOURCETYPE
LINK
specifikationer
IGOT60R070D1
GaN udvælgelsesvejledning
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
Andre relaterede dokumenter
GaN i adaptere/opladere
GaN i Server og Telecom
Realistisk og kvalifikation af CoolGaN
Hvorfor CoolGaN
GaN i trådløs opladning
videofil
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT halvbro evalueringsplatform med GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – det nye magtparadigme
2500 W fuldbro-totempæl PFC-evalueringstavle ved hjælp af CoolGaN™ 600 V
HTML specifikationer
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
IGOT60R070D1
Miljø- og eksportklassificering
EGENSKABER
BESKRIVE
RoHS status
I overensstemmelse med ROHS3-specifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 timer)
REACH status
Ikke-REACH produkter
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
